<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>SiC on Twin Tube Infrared Heating Tech</title>
		<link>http://twintube-ir.com/vi/tags/sic/</link>
		<description>Recent content in SiC on Twin Tube Infrared Heating Tech</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>vi</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Fri, 03 Jul 2026 08:12:42 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://twintube-ir.com/vi/tags/sic/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>Đèn sưởi dùng trong quy trình xử lý wafer SiC</title>
				<link>http://twintube-ir.com/vi/posts/sic-wafer-processing-heater-lamp/</link>
				<pubDate>Fri, 03 Jul 2026 08:12:42 +0800</pubDate>
				<guid>http://twintube-ir.com/vi/posts/sic-wafer-processing-heater-lamp/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://twintube-ir.com/images/e359da41a435291bc4b653b358552252.png&#34; alt=&#34;Đèn sưởi dùng trong quy trình xử lý wafer SiC&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Trên dây chuyền sản xuất, tấm wafer SiC chỉ đơn giản là nằm yên tại chỗ, chờ đợi quá trình nung để cố định mô hình trên bề mặt wafer. Chỉ cần nhiệt độ thay đổi vài phần trăm độ, việc kiểm soát kích thước của wafer sẽ bị ảnh hưởng; tỷ lệ sản phẩm hoàn chỉnh sẽ giảm xuống ngay từ đầu, trước cả khi máy khắc có thể phát hiện ra điều đó.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
