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		<title>SiC on Twin Tube Infrared Heating Tech</title>
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				<title>Heizlampe für den Verarbeitungsprozess von SiC Wafers</title>
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				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://twintube-ir.com/images/e359da41a435291bc4b653b358552252.png&#34; alt=&#34;Heizlampe für den Verarbeitungsprozess von SiC Wafers&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Auf der Produktionslinie liegt die SiC-Wafer einfach dort und wartet darauf, dass der Photoresist durch Erhitzung festgelegt wird – dadurch entsteht das gewünschte Muster auf der Waferoberfläche. Selbst geringfügige Temperaturverschiebungen können dazu führen, dass die Kontrolle über die wichtigen Abmessungen beeinträchtigt wird. Dadurch sinkt die Produktivität, noch bevor das Ätzverfahren überhaupt beginnt.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;&lt;strong&gt;Was wirklich wichtig ist:&lt;/strong&gt;&#xA;Wir verwenden eine Halogenheizlampe mit Kurzwellen-NIR-Strahlung, die in einer Quarzkapsel untergebracht ist. Dadurch wird eine schnelle thermische Reaktion sowie eine hohe Homogenität auf der Waferoberfläche erreicht. Auf der Erhitzungsfläche halten wir eine Genauigkeit von ±0,1 °C ein – dadurch bleiben die Parameter während mehrerer Chargen konstant.&lt;/p&gt;</description>
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